中國第三代半導體領軍企業英諾賽科（2577.HK）發布2024年度業績。從財務表現來看，英諾賽科2024年實現銷售收入828.5百萬元，較2023年相0比增長39.8%。此外，公司2024年的整體毛虧損率較2023年的-61.6%大幅改善至-19.5%，提升42.1個百分點。

IDM模式構筑技術護城河

英諾賽科的崛起，始于對IDM（垂直整合制造）模式的顛覆性創新。當全球半導體巨頭受制于“設計－制造－封測”環節的割裂時，英諾賽科建成了全球首條8英寸硅基氮化鎵產線，建立了涵蓋芯片設計到晶圓制造、封裝及可靠性測試的IDM模式，并實現氮化鎵芯片的高產能利用率、高良率、大規模穩定出貨。

截至2024年末，英諾賽科的晶圓產能達1.3萬片/月，充裕的產能可以滿足大規模采購需求，為下游功率電源客戶提供可靠的供應鏈保障。制造良率超過95%，這意味著更低的生產成本和更高的產品質量，為公司贏得了良好的口碑。

此外，公司已量產及研發產品電壓范圍覆蓋15V到1200V，可以充分滿足消費電子、數據中心、汽車電子等各種消費和工業場景需求。

虧損大幅收窄，有望較其他IDM企業更快實現盈利

高回報、高技術與制造壁壘，是IDM模式的優勢，也是全球功率半導體巨頭的必然選擇，但早期需要投入大量資金開展研發和制造，產能利用率低、折舊攤銷費用高昂，導致IDM企業普遍面臨沉重的財務壓力，通常情況下，IDM企業需要8～10年才能實現盈利。

英諾賽科僅用7年時間便改寫了行業規律，從其最新公布的數據來看，整體毛虧損率從-61.6%大幅改善至-19.5%，有望較其他IDM公司更快地實現盈利目標。

英諾賽科的財務表現突破行業規律，背后是技術、市場、管理的三重協同效應。

在制造工藝端，公司不僅在全球范圍內率先實現了8英寸氮化鎵量產工藝，技術領先于氮化鎵芯片行業已有廠商，而且推進制造能力的自主可控，自研或改造制造設備，此外，依托研發平臺，持續進行制造工藝迭代，引領氮化鎵行業技術突破。

在器件產品端，依托強大的制造能力協同，產品研發周期和研發成本顯著優于競爭對手，不僅實現對下游客戶需求快速響應，而且持續推出創新產品。以數據中心行業應用為例，公司近期推出INN100EA035A，成為全球首個實現大規模量產的100V級GaN解決方案，該產品采用了先進的雙冷卻En-FCLGA封裝，熱性能較傳統方案優化65%，功率密度提升了20%，系統功率損耗降低35%以上，這款新產品成為AI服務器48VDC-DC電源傳輸的理想選擇。

通過供應鏈端和產品端的密切協同，英諾賽科的經營發展產生了飛輪效應，避免陷入價格戰泥潭。

從市場需求側分析，英諾賽科已成為消費電子市場絕對領先者，推動公司經營收入規模持續增長，AI算力、電動汽車、機器人等新興行業的爆發式增長，為公司收入打開新的增長量級，攜IDM經營模式之利，公司即將充分承接下游市場需求爆發的紅利。

在管理上，公司持續加強對運營成本的管控，公司招股書數據顯示，銷售、管理、研發三項費用占收入比例持續下降，部分原因在于公司收入攀升，產生規模經濟，從側面也反映出公司在器件研發、工藝迭代、供應鏈優化等方面的降本產生了顯著效果。

未來展望：從挑戰者到規則制定者

站在2025年的市場需求拐點，英諾賽科已鎖定萬億級賽道。AI算力飆升，GPU廠商對降低能耗需求愈加迫切，傳統硅基MOSFET已逼近工藝和材料極限，氮化鎵擁有高頻、高耐壓、高能效等特性，在AI領域替代硅MOS的前景巨大。在電動汽車領域，氮化鎵芯片可以顯著提升能效比、精簡電源拓撲結構，推動電源、電機系統的輕量化和小型化，這將有助于汽車廠商降低整車成本，并緩解廠商們的“續航里程焦慮”。

根據弗若斯特沙利文預測，2028年全球氮化鎵功率半導體市場規模將達501億元人民幣，占全球功率半導體市場的10.1%。若保持類似增速，2030年全球市場規模有望突破100億美元。

技術上，英諾賽科在2025年有望進入“井噴期”。

在人形機器人領域，公司精準錨定技術前沿與市場需求，相繼重磅推出全系列氮化鎵產品，主要包括150V和100V的氮化鎵功率器件，同時，公司亦充分發揮自身研發優勢，賦能行業客戶的項目研發。

在數據中心領域，公司已向全球多家廠商量產交付服務器電源芯片，并推進氮化鎵芯片在GPU直流電源轉換中的應用。隨著INN100EA035A等系列新產品的發布，預計公司在數據中心領域的市場份額、應用場景將不斷擴大。

在汽車電子領域，多家知名車企及激光雷達廠商已搭載英諾賽科的芯片。此外，公司也在全力發展OBC等新的車規應用場景。

旺盛的市場需求為英諾賽科培育了豐富的客戶群，在向客戶大規模穩定交付產品的過程中，通過與客戶的長期互動，該公司的技術“護城河”越發牢固雄厚。該公司下游客戶遍及中國和歐日韓等海外市場，涵蓋了功率半導體制造商、汽車OEM供應商、新能源公司、手機與電腦廠商等，應用場景千差萬別，性能需求各異，在服務這些客戶過程中，英諾賽科持續優化供應鏈能力，并不斷豐富完善各類芯片應用解決方案。

英諾賽科用第三代半導體技術同時撬動消費電子、數據中心、新能源汽車市場，在較短時間內實現經營業績大幅改善，相較于其他IDM企業，不僅是技術和產品的突破，其創新成長模式也超越傳統。

隨著公司不斷推出應用于AI服務器、EV和機器人等領域的領先產品，引領GaN產業發展，英諾賽科的商業實踐證明了中國半導體產業從“技術跟隨者”向“新規則創建者”的轉變。